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PolarHT TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTQ 200N06P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 60 V
= 200 A
≤ 6.0 m ?
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-3P (IXTQ)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
60
60
V
V
V GS
V GSM
I D25
I D(RMS)
Transient
Continuous
T C = 25 ° C
External lead current limit
± 30
± 20
200
75
V
V
A
A
G
D
S
(TAB)
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
400
A
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
60
80
4.0
10
A
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
International standard package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
714
-55 ... +175
175
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
Features
l
l
T L
T SOLD
M d
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting torque (TO-3P)
300 ° C
260 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
l
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Weight
TO-3P
5.5
g
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
60
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2.5
5.0
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 60A
V GS = 15 V, I D = 400A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
5.0
6.0
m ?
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99273E(12/05)
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相关代理商/技术参数
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IXTQ200N085T 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ200N10T 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ220N055T 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ220N075T 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ22N50P 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ22N60P 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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